Name: IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPZ40N04S5L4R8ATMA1TR-ND
Price: 1.404 EUR
Availability: InStock

IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPZ40N04S5L4R8ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPZ40N04S5L4R8ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPZ40N04S5L4R8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 40 A (Tc) 48W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,8mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 17µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1560 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	48W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	IPZ40N04

Prix unitaire sans TVA:	1,17000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,40400 €

IPZ40N04S5L4R8ATMA1