Name: IPW65R095C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R095C7XKSA1-ND
Price: 7.332 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1

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IPW65R095C7XKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPW65R095C7XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R095C7XKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 24 A (Tc) 128W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW65R095C7XKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 590µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2140 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 128W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPW65R095
Rds On (max.) à Id, Vgs 95mohms à 11,8A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	6,11000 €	6,11 €
30	3,49833 €	104,95 €
120	2,92333 €	350,80 €
510	2,50200 €	1 276,02 €
1 020	2,34833 €	2 395,30 €
2 010	2,31152 €	4 646,16 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.