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Fiche technique
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Canal N 600 V 4,3 A (Tc) 37W (Tc) Trou traversant TO-251
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IPU60R1K0CEBKMA1

Numéro de produit DigiKey
IPU60R1K0CEBKMA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPU60R1K0CEBKMA1
Description
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO251
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 4,3 A (Tc) 37W (Tc) Trou traversant TO-251
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolMOS™ CE
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
4,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1ohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 130µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
280 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
37W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-251
Boîtier
TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
Numéro de produit de base
IPU60R
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