Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 4.992 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT029N08N5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPT029N08N5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT029N08N5ATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT029N08N5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 108µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 87 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6500 pF @ 40 V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Dissipation de puissance (max.) 168W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 52A (Ta), 169A (Tc)	Boîtier 8-PowerSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPT029
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9mohms à 150A, 10V