Name: IPT019N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT019N08N5ATMA1TR-ND
Price: 4.848 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPT019N08N5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT019N08N5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT019N08N5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT019N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT019N08N5ATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 32A (Ta), 247A (Tc) 231W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT019N08N5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 159µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 127 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9200 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 231W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32A (Ta), 247A (Tc)	Boîtier 8-PowerSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPT019
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,9mohms à 150A, 10V