Name: IPT009N10NM8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT009N10NM8ATMA1TR-ND
Price: 5.892 EUR
Availability: OutOfStock

Nouveau produit

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IPT009N10NM8ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT009N10NM8ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT009N10NM8ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT009N10NM8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT009N10NM8ATMA1
Description	IPT009N10NM8ATMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 0.93mOhm @ 100A, 15V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3.2V @ 279µA
Série OptiMOS™ 8	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 319 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 21000 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3.8W (Ta), 500W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 42A (Ta), 484A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 15V	Boîtier 8-PowerSFN

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