Canal N 700 V 10,5 A (Tc) 86W (Tc) Trou traversant PG-TO251-3-11
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IPS70R600CEAKMA1

Numéro de produit DigiKey
IPS70R600CEAKMA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPS70R600CEAKMA1
Description
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 700 V 10,5 A (Tc) 86W (Tc) Trou traversant PG-TO251-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolMOS™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
10,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
600 mohms à 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 210µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
474 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
86W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO251-3-11
Boîtier
TO-251-3 broches courtes, IPAK
Numéro de produit de base
IPS70R
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