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Canal N 55 V 80 A (Tc) 158W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
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IPP80N06S2L11AKSA1

Numéro de produit DigiKey
IPP80N06S2L11AKSA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPP80N06S2L11AKSA1
Description
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 55 V 80 A (Tc) 158W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Conditionnement
Tube
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
11mohms à 60A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 93µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2075 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
158W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO220-3-1
Boîtier
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP80N
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