Name: IPP65R225C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP65R225C7XKSA1-ND
Price: 3.384 EUR
Availability: OutOfStock

IPP65R225C7XKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPP65R225C7XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP65R225C7XKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 11 A (Tc) 63W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP65R225C7XKSA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ C7
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	225mohms à 4,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 240µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	996 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	63W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP65R225

Prix unitaire sans TVA:	2,82000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,38400 €

IPP65R225C7XKSA1