IPP65R150CFDAAKSA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IPP65R150CFDAAKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPP65R150CFDAAKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP65R150CFDAAKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP65R150CFDAAKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	22,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	150mohms à 9,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 900µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2340 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	195,3W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP65R150

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	4,29000 €	4,29 €
50	2,23440 €	111,72 €
100	2,03540 €	203,54 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.