Name: IPP65R099CFD7AAKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R099CFD7AAKSA1-ND
Price: 6.648 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 24 A (Tc) 127W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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IPP65R099CFD7AAKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP65R099CFD7AAKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP65R099CFD7AAKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 24 A (Tc) 127W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP65R099CFD7AAKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™ CFD7A	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2513 pF @ 400 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 127W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 99mohms à 12,5A, 10V	Numéro de produit de base IPP65R099
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 630µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 6

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,54000 €	5,54 €
50	2,93140 €	146,57 €
100	2,67940 €	267,94 €
500	2,23816 €	1 119,08 €
1 000	2,09651 €	2 096,51 €
2 000	2,02850 €	4 057,00 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.