Name: IPP110N20N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP110N20N3GXKSA1-ND
Price: 6.324 EUR
Availability: InStock

Canal N 200 V 88 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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IPP110N20N3GXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP110N20N3GXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP110N20N3GXKSA1
Description	MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 88 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP110N20N3GXKSA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 270µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 87 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7100 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 88 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPP110
Rds On (max.) à Id, Vgs 11mohms à 88A, 10V

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Documents et supports

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	5,27000 €	5,27 €
50	2,73040 €	136,52 €
100	2,48530 €	248,53 €
500	2,05608 €	1 028,04 €
1 000	1,91825 €	1 918,25 €
2 000	1,80243 €	3 604,86 €
5 000	1,67723 €	8 386,15 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.