Name: IPP051N15N5AKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP051N15N5AKSA1-ND
Price: 2.2572 EUR
Availability: OutOfStock

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IPP051N15N5XKSA1

Infineon Technologies

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IPP051N15N5AKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPP051N15N5AKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP051N15N5AKSA1
Description	MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 120 A (Tc) 300mW (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP051N15N5AKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	150 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	8V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,1mohms à 60A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,6V à 264µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7800 pF @ 75 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300mW (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP051

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
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