Name: IPN80R900P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R900P7ATMA1TR-ND
Price: 1.632 EUR
Availability: InStock

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IPN80R900P7ATMA1
cms-digikey-product-number	IPN80R900P7ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN80R900P7ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPN80R900P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IPN80R900P7ATMA1
cms-description	MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Canal N 800 V 6 A (Tc) 7W (Tc) Montage en surface PG-SOT223
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	IPN80R900P7ATMA1 Modèles

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ P7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	800 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	900mohms à 2,2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 110µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	350 pF @ 500 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	7W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-SOT223
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	IPN80R900

Prix unitaire sans TVA:	1,36000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,63200 €

IPN80R900P7ATMA1