Name: IPN80R3K3P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND
Price: 1.056 EUR
Availability: InStock

Canal N 800 V 1,9 A (Tc) 6,1W (Tc) Montage en surface PG-SOT223

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IPN80R3K3P7ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPN80R3K3P7ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN80R3K3P7ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPN80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPN80R3K3P7ATMA1
Description	MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 1,9 A (Tc) 6,1W (Tc) Montage en surface PG-SOT223
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPN80R3K3P7ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 30µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.8 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ P7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 120 pF @ 500 V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Dissipation de puissance (max.) 6,1W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Boîtier fournisseur PG-SOT223
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,9 A (Tc)	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPN80R3
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,3ohms à 590mA, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPD80R3K3P7ATMA1	Infineon Technologies	2 500	IPD80R3K3P7ATMA1TR-ND	1,05000 €	Recommandation fabricant

En stock: 9 045

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Date de dernière disponibilité : 30/09/2026

Quantité

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