Name: IPN70R1K4P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND
Price: 0.936 EUR
Availability: InStock

IPN70R1K4P7SATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPN70R1K4P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPN70R1K4P7SATMA1
Description	MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	21 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 700 V 4 A (Tc) 6,2W (Tc) Montage en surface PG-SOT223
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPN70R1K4P7SATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ P7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,4ohms à 700mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 40µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	158 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	6,2W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-SOT223
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	IPN70R1

Prix unitaire sans TVA:	0,78000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,93600 €

IPN70R1K4P7SATMA1