Name: IPL65R099C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND
Price: 5.976 EUR
Availability: InStock

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IPL65R099C7AUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPL65R099C7AUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPL65R099C7AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPL65R099C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPL65R099C7AUMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 21A 4VSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 21 A (Tc) 128W (Tc) Montage en surface PG-VSON-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPL65R099C7AUMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ C7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	21 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	99mohms à 5,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 590µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2140 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	128W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-VSON-4
Boîtier	4-PowerTSFN
Numéro de produit de base	IPL65R099

Prix unitaire sans TVA:	4,98000 €
Prix unitaire avec TVA:	5,97600 €

IPL65R099C7AUMA1