Name: IPL65R070C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPL65R070C7AUMA1TR-ND
Price: 8.82 EUR
Availability: InStock

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IPL65R070C7AUMA1
Numéro de produit DigiKey	IPL65R070C7AUMA1TR-ND - Bande et bobine IPL65R070C7AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPL65R070C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPL65R070C7AUMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 28A 4VSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 28 A (Tc) 169W (Tc) Montage en surface PG-VSON-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPL65R070C7AUMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 850µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 64 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ C7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3020 pF @ 100 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 169W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-VSON-4
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 28 A (Tc)	Boîtier 4-PowerTSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPL65R070
Rds On (max.) à Id, Vgs 70mohms à 8,5A, 10V