Name: IPDQ60R010S7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ60R010S7AXTMA1TR-ND
Price: 21.42 EUR
Availability: OutOfStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPDQ60R010S7AXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPDQ60R010S7AXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPDQ60R010S7AXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPDQ60R010S7AXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPDQ60R010S7AXTMA1
Description	AUTOMOTIVE PG-HDSOP-22
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 50 A (Tc) 694W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPDQ60R010S7AXTMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	50 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	12V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10mohms à 50A, 12V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 3,08mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	318 nC @ 12 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	11987 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	694W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HDSOP-22-1
Boîtier	Module 22-PowerBSOP
Numéro de produit de base	IPDQ60R