Name: IPD80R2K8CEATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R2K8CEATMA1TR-ND
Price: 1.896 EUR
Availability: InStock

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IPD80R2K8CEATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD80R2K8CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD80R2K8CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD80R2K8CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD80R2K8CEATMA1
Description	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 1,9 A (Tc) 42W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD80R2K8CEATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 120µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ CE	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 290 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 42W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,9 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPD80R2
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8ohms à 1,1A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
STD3NK60ZT4	STMicroelectronics	3 084	497-4102-1-ND	1,70000 €	Similaire

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