Name: IPD65R660CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND
Price: 2.328 EUR
Availability: InStock

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IPD65R660CFDAATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD65R660CFDAATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD65R660CFDAATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD65R660CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD65R660CFDAATMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 6 A (Tc) 62,5W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD65R660CFDAATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	660mohms à 3,22A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 214,55µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	20 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	543 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	62,5W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD65R660