Name: IPD60R600P6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R600P6ATMA1TR-ND
Price: 1.752 EUR
Availability: InStock

IPD60R600P6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD60R600P6ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD60R600P6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD60R600P6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD60R600P6ATMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 7,3 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD60R600P6ATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ P6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	600mohms à 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 200µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	557 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	63W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD60R

Prix unitaire sans TVA:	1,46000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,75200 €

IPD60R600P6ATMA1