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Canal N 600 V 8,1 A (Tc) 66W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 600 V 8,1 A (Tc) 66W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD60R520C6BTMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD60R520C6BTMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD60R520C6BTMA1
Description
MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 8,1 A (Tc) 66W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
520mohms à 2,8A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 230µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
23.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
512 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
66W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3
Boîtier
Numéro de produit de base
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