Name: IPD60R1K0CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60R1K0CEAUMA1TR-ND
Price: 1.032 EUR
Availability: InStock

IPD60R1K0CEAUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD60R1K0CEAUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD60R1K0CEAUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD60R1K0CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD60R1K0CEAUMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 6,8 A (Tc) 61W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-344
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD60R1K0CEAUMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ CE
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Pas pour les nouvelles conceptions
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,8 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1ohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 130µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	280 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	61W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3-344
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD60R

Prix unitaire sans TVA:	0,86000 €
Prix unitaire avec TVA:	1,03200 €

IPD60R1K0CEAUMA1