Name: IPD50N04S410ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD50N04S410ATMA1TR-ND
Price: 1.296 EUR
Availability: InStock

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IPD50N04S410ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD50N04S410ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD50N04S410ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD50N04S410ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD50N04S410ATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 50 A (Tc) 41W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-313
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD50N04S410ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18.2 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1430 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 41W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-313
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,3mohms à 50A, 10V	Numéro de produit de base IPD50
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 15µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
NP75N04VUK-E1-AY	Renesas Electronics Corporation	6 448	559-NP75N04VUK-E1-AYCT-ND	1,66000 €	Similaire
STD64N4F6AG	STMicroelectronics	704	497-16304-1-ND	1,16000 €	Similaire

En stock: 2 328

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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Bande et bobine