Canal N 75 V 30 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
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IPD30N08S222ATMA1

Numéro de produit DigiKey
448-IPD30N08S222ATMA1TR-ND - Bande et bobine
448-IPD30N08S222ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
448-IPD30N08S222ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPD30N08S222ATMA1
Description
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
18 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 75 V 30 A (Tc) 136W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPD30N08S222ATMA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
OptiMOS™
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
21,5mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 80µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1400 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
136W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
IPD30N08
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En stock: 1 742
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
12,05000 €2,05 €
101,31600 €13,16 €
1000,89750 €89,75 €
5000,71842 €359,21 €
1 0000,70300 €703,00 €
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,59854 €1 496,35 €
5 0000,57434 €2 871,70 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:2,05000 €
Prix unitaire avec TVA:2,46000 €
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