Name: IPD055N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD055N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 2.604 EUR
Availability: InStock

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IPD055N08NF2SATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD055N08NF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD055N08NF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD055N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD055N08NF2SATMA1
Description	MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 17 A (Ta), 98 A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD055N08NF2SATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 5,5mohms à 60A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 55µA
Série StrongIRFET™ 2	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 54 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2500 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 107W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Ta), 98 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63