Name: IPD023N04NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD023N04NF2SATMA1TR-ND
Price: 1.836 EUR
Availability: InStock

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IPD023N04NF2SATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD023N04NF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD023N04NF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD023N04NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD023N04NF2SATMA1
Description	TRENCH <= 40V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 27A (Ta), 143A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD023N04NF2SATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	StrongIRFET™2
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	27A (Ta), 143A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,3mohms à 70A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,4V à 81µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	102 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4800 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3W (Ta), 150W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD023