Name: IPB80N06S407ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB80N06S407ATMA2TR-ND
Price: 2.544 EUR
Availability: InStock

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IPB80N06S407ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPB80N06S407ATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPB80N06S407ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB80N06S407ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB80N06S407ATMA2
Description	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 80 A (Tc) 79W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB80N06S407ATMA2 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4500 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 79W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 80 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 40µA	Numéro de produit de base IPB80N

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Documents et supports

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Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDB060AN08A0	onsemi	2 417	FDB060AN08A0CT-ND	4,31000 €	Similaire
HUF75345S3ST	onsemi	1 881	HUF75345S3STCT-ND	6,95000 €	Similaire

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