Name: IPB80N06S2H5ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND
Price: 3.936 EUR
Availability: InStock

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En stock: 697

Prix unitaire : 4,33000 €

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IPB80N06S2H5ATMA2
Numéro de produit DigiKey	IPB80N06S2H5ATMA2TR-ND - Bande et bobine IPB80N06S2H5ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) IPB80N06S2H5ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB80N06S2H5ATMA2
Description	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	9 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 55 V 80 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB80N06S2H5ATMA2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	55 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	5,2mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 230µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	4400 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3-2
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IPB80N