Name: IPB65R110CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R110CFDAATMA1TR-ND
Price: 6.684 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPB65R110CFDAATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB65R110CFDAATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB65R110CFDAATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB65R110CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB65R110CFDAATMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	15 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB65R110CFDAATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	31,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	110mohms à 12,7 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,5V à 1,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	118 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3240 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	277,8W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IPB65R110