Name: IPB100N04S4H2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND
Price: 3.6 EUR
Availability: InStock

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IPB100N04S4H2ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPB100N04S4H2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB100N04S4H2ATMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 100 A (Tc) 115W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3-2
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB100N04S4H2ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 90 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7180 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 115W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO263-3-2
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,4mohms à 100A, 10V	Numéro de produit de base IPB100
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 70µA

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