Name: IPB016N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB016N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 5.004 EUR
Availability: InStock

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IPB016N08NF2SATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPB016N08NF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPB016N08NF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPB016N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPB016N08NF2SATMA1
Description	TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 170 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-TO263-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPB016N08NF2SATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	StrongIRFET™ 2
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	170 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,65mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 267µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	255 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	12000 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO263-3
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IPB016N