IPAW70R950CEXKSA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

IPAW70R950CEXKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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En stock: 997

Prix unitaire : 2,04000 €

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IPAW70R950CEXKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPAW70R950CEXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPAW70R950CEXKSA1
Description	MOSFET N-CH 700V 7.4A TO220-3-31
Référence client
Description détaillée	Canal N 700 V 7,4 A (Tc) 68W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-FP
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™ CE
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	700 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	7,4 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	950mohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 150µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	15.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	328 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	68W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3-FP
Boîtier	Boîtier complet TO-220-3
Numéro de produit de base	IPAW70