Name: IMZC140R029M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZC140R029M2HXKSA1-ND
Price: 12.9 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

Canal N 1.4 kV 65 A (Tc) 288W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17

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IMZC140R029M2HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZC140R029M2HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZC140R029M2HXKSA1
Description	IMZC140R029M2HXKSA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1.4 kV 65 A (Tc) 288W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-17
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1.4 kV
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	65 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	15V, 18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	29mohms à 27,3A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,1V à 8,6mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	54 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1960 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	288W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-4-17
Boîtier	TO-247-4

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	10,75000 €	10,75 €
30	6,50133 €	195,04 €
120	5,56867 €	668,24 €
510	5,50955 €	2 809,87 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.