Canal N 650 V 210 A (Tc) 625W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-U02
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IMZA65R007M2HXKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IMZA65R007M2HXKSA1
Description
SILICON CARBIDE MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
61 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 210 A (Tc) 625W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-U02
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IMZA65R007M2HXKSA1 Modèles
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
6,1mohms à 146,3A, 20V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
5,6V à 29,7mA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
179 nC @ 18 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
+23V, -7V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
6359 pF @ 400 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
625W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
PG-TO247-4-U02
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
15V, 20V
Boîtier
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 1 389
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Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
126,64000 €26,64 €
3017,31000 €519,30 €
12015,57892 €1 869,47 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:26,64000 €
Prix unitaire avec TVA:31,96800 €