Name: IMW65R083M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R083M1HXKSA1-ND
Price: 9.312 EUR
Availability: InStock

Canal N 650 V 24 A (Tc) 104W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41

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IMW65R083M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMW65R083M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMW65R083M1HXKSA1
Description	SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 24 A (Tc) 104W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-41
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMW65R083M1HXKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 3,3mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19 nC @ 18 V
Série CoolSiC™	Vgs (max.) +20V, -2V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 624 pF @ 400 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 104W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-41
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 24 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V	Numéro de produit de base IMW65R
Rds On (max.) à Id, Vgs 111mohms à 11,2A, 18V

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Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	7,76000 €	7,76 €
30	4,46767 €	134,03 €
120	3,74433 €	449,32 €
510	3,21429 €	1 639,29 €
1 020	3,02095 €	3 081,37 €
2 010	2,86171 €	5 752,04 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.