Name: IMBF170R650M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND
Price: 7.356 EUR
Availability: InStock

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IMBF170R650M1XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMBF170R650M1XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IMBF170R650M1XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IMBF170R650M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMBF170R650M1XTMA1
Description	SICFET N-CH 1700V 7.4A TO263-7
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	54 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1700 V 7,4 A (Tc) 88W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-13
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMBF170R650M1XTMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 5,7V à 1,7mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8 nC @ 12 V
Série CoolSiC™	Vgs (max.) +20V, -10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 422 pF @ 1000 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 88W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies SiCFET (carbure de silicium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 1700 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-13
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,4 A (Tc)	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 12V, 15V	Numéro de produit de base IMBF170
Rds On (max.) à Id, Vgs 650mohms à 1,5A, 15V