Name: IGD70R200D2SAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGD70R200D2SAUMA1TR-ND
Price: 2.892 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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IGD70R200D2SAUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IGD70R200D2SAUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IGD70R200D2SAUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IGD70R200D2SAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IGD70R200D2SAUMA1
Description	GANFET N-CH 700V 7.3A T0252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 700 V 7,3 A (Tc) 21W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-U03
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 240mohms à 2,1A
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 1,6V à 710µA
Série CoolGaN™ G5	Vgs (max.) -10V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 91 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 21W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies GaNFET (nitrure de gallium)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 700 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-U03
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,3 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63