Name: IAUZN04S7L025ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZN04S7L025ATMA1TR-ND
Price: 1.392 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUZN04S7L025ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUZN04S7L025ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUZN04S7L025ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUZN04S7L025ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUZN04S7L025ATMA1
Description	MOSFET_(20V 40V)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 117A (Tj) 65W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-44
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 7
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	117A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,56mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,8V à 20µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1954 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	65W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8-44
Boîtier	8-PowerTDFN