Name: IAUT300N08S5N012ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT300N08S5N012ATMA2TR-ND
Price: 5.16 EUR
Availability: InStock

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IAUT300N08S5N012ATMA2
Numéro de produit DigiKey	IAUT300N08S5N012ATMA2TR-ND - Bande et bobine IAUT300N08S5N012ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) IAUT300N08S5N012ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUT300N08S5N012ATMA2
Description	MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 300 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUT300N08S5N012ATMA2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	300 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,2mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 275µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	231 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	16250 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	375W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-1
Boîtier	8-PowerSFN
Numéro de produit de base	IAUT300