Name: IAUCN04S6N017TATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND
Price: 1.2 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUCN04S6N017TATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUCN04S6N017TATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUCN04S6N017TATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUCN04S6N017TATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUCN04S6N017TATMA1
Description	MOSFET_(20V 40V)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 58A (Ta), 120A (Tj) 103W (Tc) Montage en surface PG-LHDSO-10-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUCN04S6N017TATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 6
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	58A (Ta), 120A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,73mohms à 60A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 40µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3250 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	103W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-LHDSO-10-1
Boîtier	10-LSOP (0,216po, 5,48mm de large) plot exposé