Name: IAUA200N04S5N010AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUA200N04S5N010AUMA1TR-ND
Price: 3.324 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUA200N04S5N010AUMA1
Numéro de produit DigiKey	IAUA200N04S5N010AUMA1TR-ND - Bande et bobine IAUA200N04S5N010AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IAUA200N04S5N010AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUA200N04S5N010AUMA1
Description	MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 200 A (Tc) 167W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-5-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUA200N04S5N010AUMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,4V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	132 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	7650 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	167W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-5-1
Boîtier	5-PowerSFN
Numéro de produit de base	IAUA200