Name: BSZ123N08NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND
Price: 2.052 EUR
Availability: OutOfStock

BSZ123N08NS3GATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ123N08NS3GATMA1TR-ND - Bande et bobine BSZ123N08NS3GATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSZ123N08NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ123N08NS3GATMA1
Description	MOSFET N-CH 80V 10A/40A 8TSDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 10 A (Ta), 40 A (Tc) 2,1W (Ta), 66W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSZ123N08NS3GATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Ta), 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12,3mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,5V à 33µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1700 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,1W (Ta), 66W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	BSZ123

Prix unitaire sans TVA:	1,71000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,05200 €

BSZ123N08NS3GATMA1