Canal N, mode de déplétion 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface PG-SOT223-4-21
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BSP149L6327

Numéro de produit DigiKey
2156-BSP149L6327-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
BSP149L6327
Description
N-CHANNEL POWER MOSFET
Référence client
Description détaillée
Canal N, mode de déplétion 200 V 660mA (Ta) 1,8W (Ta) Montage en surface PG-SOT223-4-21
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
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Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
0V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,8ohms à 660mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 400µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
430 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1,8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-SOT223-4-21
Boîtier
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