AUIRFS3107-7P Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

AUIRFS3107-7P est obsolète et n'est plus fabriqué.

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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

AUIRFS3107-7P
Numéro de produit DigiKey	AUIRFS3107-7P-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AUIRFS3107-7P
Description	MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 75 V 240 A (Tc) 370W (Tc) Montage en surface D2PAK (7-Lead)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	75 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	240 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,6mohms à 160A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	240 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	9200 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	370W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	D2PAK (7-Lead)
Boîtier	TO-263-7, D2PAK (6 sorties + languette)