Name: AIMZHN120R020M1TXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMZHN120R020M1TXKSA1-ND
Price: 31.32 EUR
Availability: InStock

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AIMZHN120R020M1TXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-AIMZHN120R020M1TXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AIMZHN120R020M1TXKSA1
Description	SIC_DISCRETE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1200 V 100 A (Tc) 429W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-14
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	-
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V, 20V
Rds On (max.) à Id, Vgs	25mohms à 43A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	5,1V à 13,7mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	82 nC @ 20 V
Vgs (max.)	+23V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2667 pF @ 800 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	429W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-4-14
Boîtier	TO-247-4

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	26,10000 €	26,10 €
30	17,00667 €	510,20 €
120	16,46417 €	1 975,70 €

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.