Name: 2EDL5013U2DXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-2EDL5013U2DXTMA1TR-ND
Price: 2.064 EUR
Availability: InStock

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2EDL5013U2DXTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-2EDL5013U2DXTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-2EDL5013U2DXTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-2EDL5013U2DXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	2EDL5013U2DXTMA1
Description	IC GATE DRVR
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	35 semaines
Référence client
Description détaillée	Haut potentiel, bas potentiel Circuit d’attaque de porte IC Sans inversion PG-TSNP-12-5
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	2EDL5013U2DXTMA1 Modèles

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Catégorie Circuits intégrés Gestion de l'alimentation (PMIC) Circuits d'attaque de grille	Courant - Sortie de crête (source, absorption) 3A, 5A
Fabricant Infineon Technologies	Type d'entrée Sans inversion
Série EiceDRIVER™	Tension haut potentiel - Max. (auto-élévatrice) 120 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Temps de montée / descente (typ.) 4,4ns, 3,5ns
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C (TJ)
Configuration Haut potentiel, bas potentiel	Type de montage Montage en surface
Type de canal Indépendant	Boîtier 12-UFQFN
Nombre de circuits d'attaque 2	Boîtier fournisseur PG-TSNP-12-5
Type de grille FET GaN, MOSFET (canal N)	Numéro de produit de base 2EDL5013
Tension - Alimentation 4,5V ~ 5,5V

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Quantité

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