Name: IS20M028S1C
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 6500-IS20M028S1CTR-ND
Price: 3.732 EUR
Availability: InStock

Nouveaux produits chez DigiKey

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IS20M028S1C
Numéro de produit DigiKey	6500-IS20M028S1CTR-ND - Bande et bobine 6500-IS20M028S1CCT-ND - Bande coupée (CT) 6500-IS20M028S1CDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	iDEAL Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	IS20M028S1C
Description	MOSFET N-CH 200V 45A PDFN-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 45 A (Tc) 125W (Tc) Montage en surface 8-PDFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 11,6A, 10V
Fabricant iDEAL Semiconductor	Vgs(th) (max.) à Id 4,1V à 70µA
Série SuperQ™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2451 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 125W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 45 A (Tc)	Boîtier fournisseur 8-PDFN (5x6)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 8-PowerTDFN