Canal P 200 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant TO-220AB
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RF1S9640

Numéro de produit DigiKey
2156-RF1S9640-ND
Fabricant
Harris Corporation
Numéro de produit du fabricant
RF1S9640
Description
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Référence client
Description détaillée
Canal P 200 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Trou traversant TO-220AB
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Harris Corporation
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal P
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
11 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
500mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1100 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
TO-220AB
Boîtier
TO-220-3
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Quantité
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